Näytetään tulokset 1 - 10 / 6772
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110)

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2007.09.016
Aierken, Abuduwayiti; Hakkarainen, Teppo; Tiilikainen, Jouni; Mattila, Marco; Riikonen, Juha; Sopane...
Journal of Crystal Growth2007 Julkaisujen tiedon ikoni

Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/PVSC.2016.7750205
Repo, Päivikki; Bao, Yameng; Seppänen, Heli; Sippola, Perttu; Savin, Hele
Conference record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference2016 Julkaisujen tiedon ikoni

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exhange

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.apsusc.2007.01.069
Aierken, Abuduwayiti; Riikonen, Juha; Mattila, Marco; Hakkarainen, Teppo; Sopanen, Markku; Lipsanen,...
Applied Surface Science2007 Julkaisujen tiedon ikoni

(poster) Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Repo, Päivikki; Bao, Yameng; Seppänen, Heli; Sippola, Perttu; Savin, Hele
Conference record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference2016 Julkaisujen tiedon ikoni

(poster) Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Repo, Päivikki; Bao, Yameng; Seppänen, Heli; Sippola, Perttu; Savin, Hele
International Conference on Defects in Semiconductors2015 Julkaisujen tiedon ikoni

Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1361-6528/acd25b
Fung, John; Isometsä, Joonas; Lehtiö, Juha Pekka; Pasanen, Toni; Liu, Hanchen; Leiviskä, Oskari; Lau...
Nanotechnology2023 Julkaisujen tiedon ikoni

Surface Passivation of Al(x)Ga(1-x)As Ohmic Contacts Formation

Vertaisarvioitu
Fischer, V.; Ristolainen, E.; Holloway, P.H.; Lampert, W.V.; Haas, T.W.
Journal of Vacuum Science and Technology1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Effect of different ALD Al2O3 oxidants on the surface passivation of black silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.egypro.2016.07.116
Repo, Päivikki; Savin, Hele
Energy Procedia2016 Julkaisujen tiedon ikoni

Formation of Ohmic Contacts to n-GaAS using (NH(4))2S Surface Passivation

Vertaisarvioitu
Fischer, V.; Holloway, P.H.; Ristolainen, E.O.; Schoenfeld, D.
-1994 Julkaisujen tiedon ikoni

Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/pssa.202200690
Liu, Hanchen; Pasanen, Toni; Fung, John; Isometsä, Joonas; Leiviskä, Oskari; Vähänissi, Ville; Savin...
PHYSICA STATUS SOLIDI A: APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE2022

Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110)

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2007.09.016
2007

Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/PVSC.2016.7750205
2016

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exhange

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.apsusc.2007.01.069
2007

(poster) Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

2016

(poster) Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

2015

Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1088/1361-6528/acd25b
2023

Surface Passivation of Al(x)Ga(1-x)As Ohmic Contacts Formation

Vertaisarvioitu
1994

Effect of different ALD Al2O3 oxidants on the surface passivation of black silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.egypro.2016.07.116
2016

Formation of Ohmic Contacts to n-GaAS using (NH(4))2S Surface Passivation

Vertaisarvioitu
1994

Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/pssa.202200690
2022